声明：，，，。概况
集成电路工艺（integrated circuit technique ）是把电路所需求的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用必定工艺办法制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用恰当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为削减。集成的想象出现在50年代末和60年代初，是选用硅平面技能和薄膜与厚膜技能来完成的。电子集成技能按工艺办法分为以硅平面工艺为根底的单片集成电路、以薄膜技能为根底的薄膜集成电路和以丝网印刷技能为根底的厚膜集成电路。
运用研磨、抛光、氧化、分散、光刻、外延成长、蒸腾等一整套平面工艺技能，在一小块硅单晶片上一起制作晶体管、二极管、电阻和电容等元件，而且选用必定的阻隔技能使各元件在电性能上相互阻隔。然后在硅片外表蒸腾铝层并用光刻技能刻蚀成互连图形，使元件按需求互连成完好电路，制成半导体单片集成电路。跟着单片集成电路从小、中规划开展到大规划、超大规划集成电路，平面工艺技能也随之得到开展。例如，分散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫淋精提外光惯例光刻开展到一整套微细加工技能，如选用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反响离子铣等；外延成长又选用超高真空分子束外延技能；选用化学汽相淀积工艺制作多晶硅、二氧化硅和外表钝化薄膜；互连细线除选用铝或金以外，还选用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。
整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸腾工艺、溅射工艺和电镀等工艺堆叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管选用薄膜工艺制作, 它的资料结构有两种形凳狼体式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管府榆，还可选用碲、铟、砷、氧化镍等资料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管比较，因此完全由薄膜构成的电路尚无遍及的有用价值。
实践运用的薄膜集成电路均选用混合工艺，也便是用薄膜技能在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷府乐燥基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器材的芯片和不便利用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等办法拼装成一块完好电路。
用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积进程是运用一细目丝网，制作各种膜的图画。这种图画用照相办法制成，但凡不淀积涂料的当地，均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片通过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经枯燥后，在750～950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂整循愉，烧结导体资料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器材用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为 7～40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较便利，多层工艺相容性好，能够大大提高二次集成的拼装密度。此外，等离子喷涂、火焰试狱签才喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技能。与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路因为厚膜晶体管尚不能有用，实践上也是选用混合工艺。
单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺办法各有特点，能够相互弥补。通用电路和规范电路的数量大，可选用单片集成电路。需求量少的或是非规范电路，一般选用混合工艺办法，也便是选用规范化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些运用中是相互穿插的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵敏，出产周期短，散热杰出，所以在高压、大功率和无源元件公役要求不太严苛的电路中运用较为广泛。别的，因为厚膜电路在工艺制作上简单完成多层布线，在超出单片集成电路才能所及的较杂乱的运用方面，可将大规划集成电路芯片拼装成超大规划集成电路，也可将单功用或多功用单片集成电路芯片拼装成多功用的部件乃至小的整机。
单片集成电路除向更高集成度开展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模仿电路方面开展。不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。在详细的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜垫局翻敬、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精细电阻网络和阻容网络基片张贴于由厚膜电阻和导带拼装成的基片上，装成一个杂乱的完好的电路。必要时乃至可配接上单个超小型元件，组成部件或整机。
