2016年12月7日，选用三星10nm工艺制作的高通骁龙835跑分遭到曝光。
此前，英特尔宣称，将于2017年发布选用自家10nm工艺制作的移动芯片。
三星也购买了ASML的NXE3400光刻机，为出产7nm芯片作预备，并计划在2018年上半年完结量产。
近来，台积电又宣称，将在2017年头开端7nm的规划定案，并在2018年头量产，对5nm、3nm和2nm工艺的相关出资作业也已开端。
从14nm到10nm，从10nm到7nm，还有所谓的5nm、3nm和2nm，芯片工艺的竞赛程度不断晋级。那么，芯片界的这场“战役”会完毕吗？芯片工艺的未来又在哪里呢？
技能上，近年来除了FinFIT技能外，三星、英特尔等芯片厂商纷繁投入到FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技能、3D堆叠技能等的研讨中，以求打破FinFET的制作极限，具有更多的主动权。各种新技能中，犹以3D堆叠技能为研讨要点。
3D堆叠技能通过在存储层上叠加逻辑层，将芯片的结构由平面型晋级建立体型，大大缩短互连线长度，使得数据传输更快，所受搅扰更小。
现在，这样的3D技能在理论层面已有较大开展，并在实践中得到开端运用。2013年，三星推出了3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技能，笔直堆叠可达24层。同年，台积电与Cadence协作开发出了3D-IC的参阅流程。2015年，英特尔和美光协作推出了3D XPoint技能，运用该技能的存储芯片现在现已量产。
资料上，现在制作芯片的原资料以硅为主。不过，硅的物理特性约束了芯片的开展空间，正在逐步被弃用。
2015年，IBM及协作伙伴三星、GlobalFoundries展现7nm工艺芯片时，运用的是硅锗资料。运用这种资料的晶体管开关速度更快，功耗更低，并且密度更高，能够轻松完结200亿晶体管，晶体管密度比现在的硅基半导体高出一个量级。2015年4月，英特尔也宣告，在到达7nm工艺之后将不再运用硅资料。
III-V族化合物、石墨烯等新资料为打破硅基芯片的瓶颈供给了或许，成为很多芯片企业研讨的焦点，尤其是石墨烯。
比较硅基芯片，石墨烯芯片具有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。IBM表明，石墨烯中的电子搬迁速度是硅资料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。麻省理工学院的研讨发现，石墨烯可使芯片的运转速率提高百万倍。
并且，跟着制作工艺已逐步老练，石墨烯本来昂扬的本钱开端呈下降趋势。2011年末，宁波墨西科技建成年产300吨的石墨烯出产线，每克石墨烯销售价格只需1元。2016年4月，华讯方舟做出了石墨烯太赫兹芯片。
1965年，仙童半导体公司的工程师戈登·摩尔撰文指出，半导体电路集成的晶体管数量将每年增加一倍，功用提高一倍；之后又修正为每两年增加一倍，这便是闻名的摩尔定律。
半导体工业的开展现已契合摩尔定律超越半世纪了，尽管近几年有放缓痕迹，可是摩尔定律仍然会持续下去。
1971年，Intel发布了第一个处理器4004，它选用10微米工艺出产，仅包括2300多个晶体管。
跟着芯片的制程工艺不断开展，集成度不断提高，电子工业得以高速开展，每年腾出0.3左右的本钱空间。半导体工艺制程变得越来越小，将会有哪些长处呢？
CPU的出产是需求通过7个工序的，分别是：硅提纯，切开晶圆，影印，蚀刻，重复、分层，封装，测验， 而傍边的蚀刻工序是CPU出产的重要作业，也是重头技能，简略来说蚀刻便是用激光在硅晶圆制作晶体管的进程，蚀刻这个进程是由光完结的，所以用于蚀刻的光的波长便是该技能提高的要害，它影响着在硅晶圆上蚀刻的最小尺度，也便是线宽。
现在半导体工艺上所说的多少nm工艺其实是指线宽，也便是芯片上的最基本功用单位门电路的宽度，由于实际上门电路之间连线的宽度同门电路的宽度相同，所以线宽能够描绘制作工艺。缩小线宽意味着晶体管能够做得更小、更密布，并且在相同的芯片杂乱程度下可运用更小的晶圆，所以本钱下降了。
更先进的半导体制作工艺另一个重要长处便是能够提高作业频率。减缩元件之间的距离之后，晶体管之间的电容也会下降，晶体管的开关频率也得以提高，然后整个芯片的作业频率就上去了。
7nm今后，5nm 工艺到底有多少完结的或许和含义，更是成为业界的一个争论点。从现在来看，5nm节点前面横亘着若干技能和经济上的应战，即便能够完结，它也或许会适当贵重。
实际上，Gartner的分析师Bob Johnson以为，鉴于工艺技能日益苛刻的本钱和杂乱性，7nm或许会跳票到2020年，比一些芯片制作商预期的路线图大约晚一到两年。而这又将反过来影响5nm的问世时刻——假如职业决定向5nm持续跨进的线nm肯定会问世，仅仅不会是2020年那么早。”Johnson说，牢靠的5nm工艺或许会在2023年左右呈现。
但芯片制作商比较达观，他们以为5nm的运用仅仅时刻迟早问题，正在从头评价5nm节点的晶体管技能，并从头修订路线图。依据之前的路线图，FinFET能够下探到7nm，然后与世长辞，职业需求在5nm节点上挑选一种新式的晶体管技能。并且，5nm的仅有选项是横向纳米线FET，也被称为围栅FET。这种资料静电功用很好，仅仅制作困难并且本钱昂扬。
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