芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过规划、制作、封装、测验后的成果，通常是一个能够当即运用的独立的全体。如果把中央处理器CPU比喻为整个电脑体系的心脏，那么主板上的芯片组便是整个身体的躯干。关于主板而言，芯片组简直决议了这块主板的功用，然后影响到整个电脑体系功能的发挥，芯片组是主板的魂灵。
那么要想造个芯片，首要，你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制作公司)▼
咱们总算看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门)，大概是这样▼
其间蓝色的是金属1层，绿色是金属2层，紫色是金属3层，粉色是金属4层。那晶体管(“晶体管”自199X年今后现已首要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢？细心看图，看到里边那些白色的点吗？那是衬底，还有一些绿色的边框？那些是Active Layer (也即掺杂层)。
首要搞到一块圆圆的硅晶圆, (便是一大块晶体硅, 打磨的很润滑, 一般是圆的)
2、光刻 (用紫外线透过蒙版照耀硅晶圆, 被照到的当地就会简单被洗掉, 没被照到的当地就坚持原样. 所以就能够在硅晶圆上面刻出想要的图画. 留意, 此刻还没有参加杂质, 依然是一个硅晶圆. )
3、 离子注入 (在硅晶圆不同的方位参加不同的杂质, 不同杂质依据浓度/方位的不同就组成了场效应管.)
4.1、干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是咱们需求的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或许是一些第一步光刻先不需求刻出来的结构，这一步进行蚀刻).
4.2、湿蚀刻 (进一步洗掉，可是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻)—— 以上过程完成后, 场效应管就现已被做出来啦，可是以上过程一般都不止做一次, 很可能需求反反复复的做，以到达要求。
6.1 快速热退火 (便是瞬间把整个片子经过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被发动以及热氧化)
4、上掩膜！ (便是那个标示Cr的当地。中心空的表明没有隐瞒，黑的表明遮住了。) —— 光刻
11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅—— 热处理12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅，该层可导电——分子束外延
13、进一步的蚀刻，做出精密的结构。(在退火以及部分CVD)—— 重复3-8光刻 + 湿蚀刻
传统CMOS技能的缺点在于：衬底的厚度会影响片上的寄生电容，直接导致芯片的功能下降。 SOI技能首要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分隔，以到达(部分)消除寄生电容的意图。
封装，便是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器材衔接.封装方法是指装置半导体集成电路芯片用的外壳。它不只起着装置、固定、密封、维护芯片及增强电热功能等方面的效果，并且还经过芯片上的接点用导线衔接到封装外壳的引脚上，这些引脚又经过印刷电路板上的导线与其他器材相衔接，然后完成内部芯片与外部电路的衔接。
因为封装技能的好坏还直接影响到芯片本身功能的发挥和与之衔接的PCB(印制电路板)的规划和制作，因而它是至关重要的。
根据散热的要求，封装越薄越好。封装首要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装阅历了最前期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装开展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，今后逐步派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从资料介质方面，包含金属、陶瓷、塑料、塑料，现在许多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航等级仍有很多的金属封装。
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技能由1968～1969年菲利浦公司开发成功，今后逐步派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两边引出，封装资料有塑料和陶瓷两种。DIP是最遍及的插装型封装，运用规模包含规范逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方法，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺度比DIP封装小得多。PLCC封装合适用SMT表面装置技能在PCB上装置布线，具有外形尺度小、可靠性高的长处。
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有用运用空间，然后下降对印刷电路板空间巨细的要求。因为缩小了高度和体积，这种封装工艺十分合适对空间要求较高的运用，如 PCMCIA 卡和网络器材。简直一切ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间间隔很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路选用这种封装方法，其引脚数一般都在100以上。
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺度封装。TSOP内存封装技能的一个典型特征便是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP合适用SMT技能（表面装置技能）在PCB（印制电路板）上装置布线。TSOP封装外形尺度时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，合适高频运用，操作比较便利，可靠性也比较高。
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代跟着技能的前进，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧添加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也愈加严厉。为了满意开展的需求，BGA封装开端被运用于出产。
BGA封装技能使每平方英寸的存储量有了很大提高，选用BGA封装技能的内存产品在相同容量下，体积只要TSOP封装的三分之一；别的，与传统TSOP封装方法比较，BGA封装方法有愈加快速和有用的散热途径。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列方法散布在封装下面，BGA技能的长处是I/O引脚数尽管添加了，但引脚间隔并没有减小反而添加了，然后提高了拼装成品率；尽管它的功耗添加，但BGA能用可控陷落芯片法焊接，然后能够改进它的电热功能；厚度和分量都较曾经的封装技能有所削减；寄生参数减小，信号传输推迟小，运用频率大大提高；拼装可用共面焊接，可靠性高。
TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方法有用地缩短了信号的传导间隔，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技能的1/4，因而信号的衰减也随之削减。这样不只大幅提高了芯片的抗干扰、抗噪功能，并且提高了电功能。选用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而选用传统TSOP封装技能最高只可抗150MHz的外频。TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有用散热途径仅有0.36mm。因而，TinyBGA内存具有更高的热传导功率，十分适用于长期运转的体系，稳定性极佳。
后缀CWI表明宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
MAX202EEPE 工业级抗静电维护（-45℃-85℃）,阐明E指抗静电维护MAXIM数字摆放分类
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或许“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等最初的。
1. 后缀中J表明民品（0-70℃），N表明一般塑封，后缀中带R表明表明表贴。
2.后缀中带D或Q的表明陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表明圆帽。
前缀ADS模仿器材 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表明工业级 前缀INA、XTR、PGA等表明高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表明高精度
