华为自从被美国制裁今后，国内就很注重半导体制作职业的开展，这就很棒，由于国内半导体开展至少落后了国外20~30年，每年进口的芯片总值在2万亿元人民币以上，或许咱们没有什么概念，比照一下原油进口，国内进口原油，不过是1.5万亿人民币左右。
芯片说白了便是“沙子”，居然比原油还要贵，这便是技能性独占；不仅仅是芯片，那许多芯片资料都是技能性独占，比方光刻胶，这一点日本和美国玩得6，基本上都被独占了。
不过最近国内的芯片制作技能再次“破冰”——南大光电在193nm（nm是纳米，长度单位，1厘米等于1百万纳米）光刻胶技能获得打破。
有人或许会说了，不过是个193nm有什么可快乐的，能帮到人家华为吗？你甭说，线nm芯片
咱们经常说多少纳米的芯片，指的芯片内部晶体管的密布程度，实际上这些晶体管一般都是几十纳米大，可是他们一层层叠着，就很密布，比方70nm线个几十纳米的晶体管，这便是所谓的7nm芯片；
193nmArF光刻机、193nm光刻胶指的是指的是Arf光源的波长是193nm。现在最先进的光源是EUV，波长不过是13.5nm，并且还不老练。为什么光源波长数值那么长，可以做出几十纳米大的晶体管？
留意，光源波长可以经过镜头来聚集（放大镜相同），假如镜头跟硅片之间是空气，难度很高，效果欠好，可是假如是液体效果会更好，这便是干式与滋润式光刻技能的不同，光刻胶便是充任液体的效果，一起含有光灵敏资料，像底片相同记录着光“刻”的图画，跟摄影差不多原理。
光刻的更多是结构，是路线图，使到路线上可以包容更多的晶体管，进步密布程度。光刻胶很重要的。没有光刻胶，就没有滋润式光刻技能，就没有台积电现在光辉。在18年前，台积电林本坚就做到193nm滋润光刻技能，用的光刻胶便是193nmArf滋润光刻胶。
光刻胶是很重要的，就像上面说的那样，所幸有江苏的南大光电做出了打破，现在也是给客户试用测验，不久就可以大规模出产了。ArF光源的光刻胶尽管比EUV光源光刻机落后，可是在使用却非常广泛，占了到全球光刻胶出产的42%。
一起这个ArF以上的光刻胶都是被美国、日本独占，国内之前底子出产不出来，他人不卖，或者是高价卖，是没得说理的；为什么日韩贸易战，日本把韩国制得服服帖帖，便是由于韩国的三星盼望日本的光刻胶。
可是状况彻底不相同了，咱们也有自己的ArF光刻胶，在EUV光刻胶没有老练之前，它是干流。
真的是太了不得，现在是万事俱备，只欠东风了，国内现在的光刻胶开展，跟国外的距离缩短到了18年左右，可是在全体上应该只需10年的距离，现在只需统筹好各方，国内是彻底可以自主出产出7nm芯片的。
可是假如要线的芯片，要需求在EUV光源、EUV光刻机、EUV光刻胶上做出打破，其他问题不大，你以为国内需求多少年？
