芯片的制造进程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测验工序（Initial Test and Final Test）等几个进程。其间晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测验工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序：本工序的首要作业是在晶圆上制造电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序一般与产种类类和所运用的技能有关，但一般根本进程是先将晶圆恰当清洗，再在其外表进行氧化及化学气相堆积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等重复进程，终究在晶圆上完结数层电路及元件加工与制造。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就构成了一个个的小格，即晶粒，一般状况下，为便于测验，进步功率，同一片晶圆上制造同一种类、规范的产品；但也可依据需求制造几种不同种类、规范的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗独自的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则放弃。
3、构装工序：便是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚衔接，以作为与外界电路板衔接之用，最终盖上塑胶盖板，用胶水封死。其意图是用以维护晶粒防止遭到机械刮伤或高温损坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即咱们在电脑里能够看到的那些黑色或褐色，两头或四边带有许多插脚或引线、测验工序：芯片制造的最终一道工序为测验，其又可分为一般测验和特别测验，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测验其电气特性，如耗费功率、运转速度、耐压度等。经测验后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特别测验则是依据客户特别需求的技能参数，从附近参数规范、种类中拿出部分芯片，做有针对性的专门测验，看是否能满意客户的特别需求，以决议是否须为客户规划专用芯片。经一般测验合格的产品贴上规范、类型及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未经过测验的芯片则视其到达的参数状况定作降级品或废品。
制造芯片的根本质料:硅、金属资料(铝首要金属资料,电搬迁特性要好.铜互连技能能够减小芯片面积，一起因为铜导体的
在必备原资料的收集作业完毕之后，这些原资料中的一部分需求进行一些预处理作业。作为最首要的质料，硅的处理作业至关重要。首要，硅质料要进行化学提纯，这一进程使其到达可供半导体工业运用的质料等级。为了使这些硅质料能够满意集成电路制造的加工需求，还有必要将其整形，这一步是经过溶化硅质料，然后将液态硅注入大型高温石英容器来完结的。
然后，将质料进行高温溶化为了到达高性能处理器的要求，整块硅质料有必要高度纯洁，及单晶硅。然后从高温容器中选用旋转拉伸的办法将硅质料取出，此刻一个圆柱体的硅锭就产生了。从现在所运用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。在保存硅锭的各种特性不变的状况下增加横截面的面积是具有适当的难度的，不过只需企业肯投入大批资金来研讨，仍是能够完结的。intel为研发和出产300毫米硅锭树立的工厂耗费了大约35亿美元，新技能的成功使得intel能够制造杂乱程度更高，功用更强壮的集成电路芯片，200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开端介绍芯片的制造进程。
在制成硅锭并保证其是一个肯定的圆柱体之后，下一个进程便是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，天然能够出产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来保证外表肯定润滑，之后查看是否有歪曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决议了制品芯片的质量。
新的切片中要掺入一些物质，使之成为真实的半导体资料，然后在其上刻划代表着各种逻辑功用的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空地，彼此之间产生原子力的作用，然后使得硅质料具有半导体的特性。今日的半导体制造多挑选CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其间互补一词表明半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。N和P在电子工艺中别离代表负极和正极。大都状况下，切片被掺入化学物质构成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵从nMOS电路的特性来规划，这种类型的晶体管空间利用率更高也愈加节能。一起在大都状况下，有必要尽量约束pMOS型晶体管的呈现，因为在制造进程的后期，需求将N型资料植入P型衬底傍边，这一进程会导致pMOS管的构成。
在掺入化学物质的作业完结之后，规范的切片就完结了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，经过操控加温时刻使得切片外表生成一层二氧化硅膜。经过亲近监测温度，空气成分和加温时刻，该二氧化硅层的厚度是能够操控的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是操控其间电子的活动，经过对门电压的操控，电子的活动被严厉操控，而不管输入输出端口电压的巨细。准备作业的最终一道工序是在二氧化硅层上掩盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它操控运用。这层物质在枯燥时具有很好的感光作用，并且在光刻蚀进程完毕之后，能够经过化学办法将其溶解并除掉。
光刻蚀是芯片制造进程中工艺非常杂乱的一个进程，为什么这么说呢？光刻蚀进程便是运用必定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改动该处资料的化学特性。这项技能关于所用光的波长要求极为严厉，需求运用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀进程还会遭到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个杂乱精密的进程。规划每一步进程的所需求的数据量都能够用10GB的单位来计量，并且制造每块处理器所需求的刻蚀进程都超越20步(每一步进行一层刻蚀)。并且每一层刻蚀的图纸假如扩大许多倍的话，能够和整个纽约市外加市郊规模的地图比较，乃至还要杂乱，试想一下，把整个纽约地图缩小到实践面积巨细只要100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么杂乱，可想而知了。
当这些刻蚀作业悉数完结之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。经过化学办法除掉露出在外边的感光层物质，二氧化硅立刻在陋空方位的下方生成。
在残留的感光层物质被去除之后，剩余的便是充溢的沟壑的二氧化硅层以及露出出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制造完结。然后，参加另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。因为此处运用到了金属质料(因而称作金属氧化物半导体)，多晶硅答应在晶体管行列端口电压起作用之前树立门电路。感光层一起还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的悉数门电路就现已根本成型了。然后，要对露出在外的硅层经过化学办法进行离子轰击，此处的意图是生成N沟道或P沟道。这个掺杂进程创建了悉数的晶体管及彼此间的电路衔接，没个晶体管都有输入端和输出端，两头之间被称作端口。
从这一步起，将继续增加层级，参加一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些进程，然后就呈现了一个多层立体架构，这便是你现在运用的处理器的萌发状况了。在每层之间选用金属涂膜的技能进行层间的导电衔接。
接下来的几个星期就需求对晶圆进行一关接一关的测验，包含检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑过错，假如有，是在哪一层呈现的等等。然后，晶圆上每一个呈现问题的芯片单元将被独自测验来确认该芯片有否特别加工需求。
然后，整片的晶圆被切开成一个个独立的处理器芯片单元。在开端测验中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切开下来的芯片单元将被选用某种办法进行封装，这样它就能够顺畅的刺进某种接口规范的主板了。在芯片的包装进程完结之后，许多产品还要再进行一次测验来保证从前的制造进程无一遗漏，且产品完全遵循规范所述，没有误差。
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